|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
VISHAY
|
4 240
|
23.21
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
|
|
7.24
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
48
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
|
13
|
240.00
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
1
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
12 903
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
12 275
|
3.51
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
36 243
|
2.86
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
14 011
|
1.63
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
39 200
|
2.95
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
32 800
|
2.84
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
1
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
859
|
3.13
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
2 620
|
3.07
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
|
102
|
21.12
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
HOTTECH
|
785
|
13.51
|
|