IRF6217

Версия для печати

Технические характеристики IRF6217

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 420mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	700mA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	150pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6217 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6217 datasheet
125.4 Кб