|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD812ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD812ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD812ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
|
|
543.44
|
|
|
|
AD812ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD812ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
ГТ308Б |
|
|
|
62
|
18.00
|
|
|
|
ГТ308Б |
|
|
|
62
|
18.00
|
|
|
|
ГТ308Б |
|
|
НАЛЬЧИК
|
1 287
|
8.00
|
|
|
|
ГТ308Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
|
1 519
|
18.00
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 118
|
21.88
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 616
|
30.00
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
СП3-38Б-0,125-330 КОМ-30% |
|
|
|
|
|
|