BSP52

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BSP52		18.76
BSP52 (ON SEMICONDUCTOR)	800	3-4 недели Цена по запросу
BSP52 (PHILIPS)	532	25.50
BSP52 (SUNTAN)	23 400	21.12

Версия для печати

Технические характеристики BSP52

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 500mA, 10V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSP50 (Биполярные NPN транзисторы Дарлингтона)

NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BSP50BSP52, BSP52

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BSP52 datasheet
156.14Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	INFINEON
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	NXP
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000		4	15.60
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS	40
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	МАЛАЙЗИЯ
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	NXP
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	HOTTECH	5	33.91
BSP62	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	JSMICRO
PET22-02				1 040.00
PET22-02		КИТАЙ
TDA9381PS/N3/1/1803				2 320.00
TDA9381PS/N3/1/1803		NXP
К52-2-100МКФ 90В