Версия для печати
Технические характеристики KSP42

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

KSP42 (Универсальные биполярные NPN транзисторы) NPN Epitaxial Silicon Transistor Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com KSP42 datasheet 38.45Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DC COMPONENTS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DIOTEC	2 765	3.92
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс		240	12.95
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	---
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	КИТАЙ
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	GOOD-ARK	259	2.94
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNTAN
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	KLS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	WUXI XUYANG	9 504	2.66
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	ASEMI
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz	PHILIPS
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz	NXP
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	90.72
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		691	79.55
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS
		MJE243G			ON Semiconductor
		MJE243G			ONS	235	94.09
		MJE243G			ON SEMICONDUCTOR
		MJE243G				6	143.64
		MJE243G			1
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	916	67.52
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		880	41.95
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"