UT62256CSC-70LL

(SRAM 32kx8) SO28

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
UT62256CSC-70LL (UTRON)	20	252.00

Версия для печати

Технические характеристики UT62256CSC-70LL

Тип организации памяти	32K x 8
Напряжение питания, В	5
Время доступа, нс	70
Тип шины	паралелльная
Встроенная батарея	Нет
Температурный диапазон, C	0…+70
Тип корпуса	SO28

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
L-53F3C	5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.			29.32
L-53F3C	5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.	KINGBRIGHT
L-53F3C	5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.	KGB	20	18.36
L-53F3C	5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.	KB	2 550	22.51
LM392N	Операционный усилитель, регулятор напряжения	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM392N	Операционный усилитель, регулятор напряжения		1	70.30
LM392N	Операционный усилитель, регулятор напряжения	NSC
LM392N	Операционный усилитель, регулятор напряжения	NATIONAL SEMICONDUCTOR	28
LM392N	Операционный усилитель, регулятор напряжения	TEXAS
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C	HARRIS
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C	TEXAS INSTRUMENTS
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C	TEXAS INSTRUMENTS	117
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C	TEXAS INSTRUMEN
SN74HC32D	Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C	TEXAS
SN74HC393DR		TEXAS INSTRUMENTS	208	44.43
SN74HC393DR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74HC393DR		TEXAS	1 480	25.34
SN74HC393DR			1 912	15.79
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	576	361.62
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80