КР1156ЕУ1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КР1156ЕУ1	59	55.50
КР1156ЕУ1 (БРЯНСК)	30	67.20
КР1156ЕУ1 (КРЕМНИЙ)	40	94.50

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
16K1 F 500K			11 628	15.67
16K1 F 500K		RUICHI
16K1 F 500K			11 628	15.67
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).			230.96
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTR
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST1
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	SGS THOMSON
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	321
S16KN1-B 10K L10KC
S16KN1-B 10K L10KC
КН102Б			1	144.00
КН102Б		ТОМИЛИНО
П215				63.64
П215		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
П215		ФОТОН
П215		ВОРОНЕЖ
П215		ПЛУТОН
П215		ВЗПП

КР1156ЕУ1

КАТАЛОГ

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают: