Версия для печати

Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный КТ829Б datasheet 75,63kB 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS	400	38.25
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ON SEMICONDUCTOR
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	66.88
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	STMicroelectronics
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ЭЛЬТАВ
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	66.88
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	FSC1
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRO
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FAI/QTC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	44	17.05
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W			28.56
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДОНЕЗИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	HOTTECH
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	LGE
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	KLS	572	27.05
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMICROELECTR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ZH	35 600	24.60
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ST MICROELECTRONICS
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD			63.24
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	STMicroelectronics

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	ЗПП
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...		204	33.44
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	ЗПП МИНСК
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	МИНСК
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	ИНТЕГРАЛ	80	66.30
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 198	26.40
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	35.70
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 749	28.00
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		12 970	39.38
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	15 063	44.00
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 760	108.24
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		5 099	35.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	12 396	42.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 560	79.70
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"