| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный
|
|
35
|
177.12
|
|
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
542
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
|
907
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
КРЕМНИЙ
|
755
|
38.25
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
БРЯНСК
|
1 702
|
34.00
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814А |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN усилительный 10Вт, 1,5А, 40В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 198
|
26.40
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 749
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
П217В |
|
|
|
5
|
50.40
|
|
|
|
|
П217В |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
П217В |
|
|
1
|
|
|
|
Версия для печати
