|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
131 342
|
1.74
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
141 193
|
1.30
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
55 368
|
3.11
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
221 760
|
1.71
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
163 807
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
997
|
1.74
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
94 879
|
1.21
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
74 400
|
4.92
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
162 400
|
1.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
168
|
1.99
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
2
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
15 317
|
1.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
112 704
|
2.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
12
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
|
21 820
|
1.70
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
11 340
|
10.50
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 612
|
9.10
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
4 720
|
25.58
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
8 852
|
5.78
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
БРЕСТ
|
115 126
|
1.20
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
8 852
|
5.78
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
СЗТП
|
40
|
20.40
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
|
|
|
|
|
КД522Б |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КУ709В |
|
|
|
|
207.36
|
|
|
|
КУ709В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
357.00
|
|