IRLB3813PBF
|
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 60A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 86nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8420pF @ 15V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FR4-1 1.5MM 150X250 | 844 | 161.57 | ||||||
| FR4-1 1.5MM 150X250 | RUICHI |
|
|
|||||
 |
 |
IRG4BC30FDPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRG4BC30FDPBF |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
IRG4BC30FDPBF |
|
|
|
|||
| STP26NM60N | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STP26NM60N | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STP26NM60N | 200 | 126.48 | ||||||
| STP26NM60N | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
|
|
STW34NM60N |
|
STMicroelectronics |
|
|
|||
|
|
STW34NM60N |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
|
|
STW34NM60N |
|
|
|
||||
|
|
STW34NM60N |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
|||
| STW48NM60N | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STW48NM60N |
|
|
||||||
| STW48NM60N |
|
|
||||||
| STW48NM60N | ST MICROELECTRO |
|
|
