IRLR8729PbF


Транзистор МОП N-канальный 30V 58A 55W DPAK

Купить IRLR8729PbF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLR8729PbF
Версия для печати

Технические характеристики IRLR8729PbF

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C58A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
Power - Max55W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR8729PbF (MOSFET)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR8729PbF datasheet
360.7 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    IHLP2525CZER4R7M01     VISHAY 482 46.49 
    IHLP2525CZER4R7M01       Заказ радиодеталей 168.00 
    IHLP2525CZER4R7M01     VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IHLP2525CZER4R7M01     Vishay/Dale Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход