Версия для печати
Технические характеристики КС224Ж

Мощность рассеяния,Вт	0.125
Минимальное напряжение стабилизации,В	23
Номинальное напряжение стабилизации,В	24
Максимальное напряжение стабилизации,В	25
Статическое сопротивление Rст.,Ом	70
при токе I ст,мА	2
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	5.2
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DIODES
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DC COMPONENTS	53 452	4.07
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MCC
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS		10	15.12
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	WTE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	КИТАЙ
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIC	21 468	2.49
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KINGTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY ME	1 079	7.11
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YJ	336	4.13
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KLS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SUNTAN
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE	12 400	2 966.54
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE (YJ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIG
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SEMTECH	128	5.38
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	OLITECH	1 616	2.31
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	1
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MDD	528	2.52
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	RUME	11 200	1 735.02
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	TRR ELECTRONICS
		IRFBC30PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 2.2Ом, Id(25°C) = 3.6A	VISHAY	1 432	44.43
		IRFBC30PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 2.2Ом, Id(25°C) = 3.6A	Vishay/Siliconix
		IRFBC30PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 2.2Ом, Id(25°C) = 3.6A	VISHAY/IR
		IRFBC30PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 2.2Ом, Id(25°C) = 3.6A
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А	DC COMPONENTS	532	39.69
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А			44.00
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А	GALAXY
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А	MIC
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А	YJ	2 579	7.45
		SR860		Диод Шоттки 60В, 8А/150А	GALAXY ME
		КС 215 Ж			RUS
		КС216Ж		стекло	НЗПП
		КС216Ж		стекло			12.04
		КС216Ж		стекло	НОВОСИБИРСК
		КС216Ж		стекло	СЗТП	112	86.94
		КС216Ж		стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"