Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 600mA, 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
Power - Max | 40W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220 |
Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
Frequency - Transition | 3MHz |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
5 958
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
78 941
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
847
|
3.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
181 306
|
1.66
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
45 623
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
30 271
|
1.14
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
7 906
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
4 000
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
190 635
|
5.28
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
109 538
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
122 177
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
74 603
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
1 107
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
19 456
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
78 088
|
1.07
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
156 400
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
|
20 800
|
1.18
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
532
|
8.67
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
17 727
|
2.16
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
6 901
|
2.30
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
4
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 288
|
3.09
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
---
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CHINA
|
70 400
|
2.24
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
LGE
|
5 549
|
2.41
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC556B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
8 727
|
2.29
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
|
4
|
88.00
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MF-2-0.16 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-2-0.16 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
8
|
3.80
|
|
|
|
OPA134PA |
|
ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OPA134PA |
|
ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
OPA134PA |
|
ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс
|
|
|
332.00
|
|
|
|
OPA134PA |
|
ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
OPA134PA |
|
ИМС Операционный усилитель Audio 8MHz 20В/мкс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|