FDG6303N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDG6303N (FAIRCHILD.)	197	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDG6303N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 10V
Power - Max	300mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-70-6
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG6303N (MOSFET)

Dual N-Channel, Digital FET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDG6303N datasheet
414.1 Кб