2.2МКФ400В(8X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148 T/B	Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	16 832	1.29
1N4148 T/B	Импульсный диод 150 мА,100В	EIC
1N4148 T/B	Импульсный диод 150 мА,100В		19 988	5.28
MPSA42 NPN		BR
MPSA42 NPN		PHILIPS
RS202	Мост 2А, 100В	DC COMPONENTS
RS202	Мост 2А, 100В		2 160	8.86
RS202	Мост 2А, 100В	DALLAS
RS202	Мост 2А, 100В	DS
RS202	Мост 2А, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
RS202	Мост 2А, 100В	MIC	2 067	15.70
RS202	Мост 2А, 100В	KINGTRONICS
TLP627[F]	Оптрон 1xCh 5kV >50%			39.20
TLP627[F]	Оптрон 1xCh 5kV >50%	TOSHIBA
TLP627[F]	Оптрон 1xCh 5kV >50%	TOS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 575	5.28
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	266	12.24
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 250	4.00
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	5 499	4.00
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ