| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFRED® |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
| Корпус | TO-220AC |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BZV85C15 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 15V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV85C15 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 15V
|
|
4 380
|
2.62
|
|
|
|
|
BZV85C15 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 15V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV85C15 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 15V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BZV85C15 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 15V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BZV85C15 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 15V
|
YANGJIE
|
|
|
|
 |
 |
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
18 772
|
3.89
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
|
13 873
|
1.57
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
HOTTECH
|
8 536
|
6.22
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 191
|
13.78
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
|
|
540.00
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY
|
6
|
452.64
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
СП3-30А-0.125-470 КОМ 30% В |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
