![]() |
Мощный биполярный транзистор. Применяется в линейных и переключающих схемах. |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Power - Max | 2W |
Frequency - Transition | 3MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220 |
Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
UTCTIP32C (Биполярные транзисторы) PNP EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | 776 | 30.18 | ||
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | КРЕМНИЙ | 6 338 | 33.90 | |
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | ТРАНЗИСТОР |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | БРЯНСК | 10 281 | 37.80 | |
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | МИНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | RUS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ816Г |
![]() |
Транзистор среднечастотный структуры PNP | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
КТ8177В |
![]() |
![]() |
![]() | 2SC3356 Структура NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи ... Купить |
![]() | VLMY21H2K1 Миниатюрные светодиоды в корпусе для поверхностного монтажа Купить |
![]() | CSD23201W10 P-channel ciclon nexfet power mosfets 31.50 руб Купить |
|
Корзина
|