|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
|
463
|
9.60
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
SMTC
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
|
2 711
|
5.28
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
PHILIPS
|
368
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
КИТАЙ
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
PANJIT
|
109
|
1.73
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
HOTTECH
|
126
|
1.10
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
KLS
|
24 000
|
1.12
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
SUNTAN
|
3 276
|
1.28
|
|
|
|
LM2936Z-5.0 |
|
ИМС Стабилизатор направленный 5В, 50мА, TO92
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2936Z-5.0 |
|
ИМС Стабилизатор направленный 5В, 50мА, TO92
|
|
|
296.00
|
|
|
|
LM2936Z-5.0 |
|
ИМС Стабилизатор направленный 5В, 50мА, TO92
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2936Z-5.0 |
|
ИМС Стабилизатор направленный 5В, 50мА, TO92
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
872
|
12.25
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
3 956
|
16.00
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
РЭС10.06.02 |
|
|
|
|
|
|