| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 2V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
|
1 384
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
HOTTECH
|
4 792
|
1.97
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
YJ
|
62 672
|
1.53
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
1
|
|
|
|
|
|
 |
HEF4555BT,652 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
HEF4555BT,652 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
HEF4555BT,652 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
HEF4555BT,652 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
|
|
61.44
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
29
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 080
|
21.65
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
МУЛЬТИМЕТР DT- 830B |
|
|
S-LINE
|
|
|
|
|
|
|
МУЛЬТИМЕТР DT- 830B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МУЛЬТИМЕТР DT- 830B |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
Версия для печати
