|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
8 382
|
5.58
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
14 236
|
4.22
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
1 112
|
4.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 892
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
12 000
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
64 392
|
1.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.21
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns
|
|
|
32.80
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
272
|
56.09
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
|
|
40.00
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
|
82 440
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
NXP
|
1 120
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
---
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
HOTTECH
|
17 004
|
1.12
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
KLS
|
92
|
1.37
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
LGE
|
30 400
|
1.97
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SUNTAN
|
77
|
1.81
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SEMTECH
|
26
|
1.40
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
PANJIT
|
48
|
2.39
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
KOME
|
17
|
1.38
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
|
|
50.60
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MC34063AP |
|
ИС контроллера DC-DC-преобразователя (Uin=3-40V, Fosc=0.1-100 kHz, Isw=1.5A(max))
|
TEXAS
|
|
|
|