TF-0286W

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
W04M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 400V
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	КРИСТАЛЛ
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...		22	136.16
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	УЛЬЯНОВСК	235	304.50
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	ОПТРОН
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	RUS
АОТ110Б	Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...	КАЛУГА
АОУ103Б1			12	211.68
АОУ103Б1		СТАРТ
АОУ103Б1		RUS
АОУ103Б1		НПП УРЛЗ
КД105Г			877	3.31
КД105Г		RUS
КД105Г		СЗТП	132	41.58
КД105Г		РОССИЯ	30	3.63
КД105Г		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		340	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 343	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР