TZS2Z100A001R00 3.5 -10ПФ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TZS2Z100A001R00 3.5 -10ПФ (MURATA)	1 763	20.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS70-04,215		NXP Semiconductors
BAS70-04,215		NXP
BAS70-04,215		NEX
BAS70-04,215
BAS70-04,215		NEX-NXP
BAS70-04,215		NXP/NEXPERIA	4 680	5.18
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт		39	14.08
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
LQW2BHN39NJ03L		MUR	3 853	23.00
LQW2BHN39NJ03L		MURATA	560	19.83
LQW2BHN39NJ03L
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)	CHINA
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)	MURATA
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)			38.80
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)	КИТАЙ
LQW2BHN47NJ03L		MURATA
LQW2BHN47NJ03L		MURATA
LQW2BHN47NJ03L		MUR	2 158	22.80
LQW2BHN47NJ03L
LQW2BHN47NJ03L