Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | PowerTrench® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 880pF @ 50V |
Power - Max | 2.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-WDFN Exposed Pad |
Корпус | 8-MLP (3.3x3.3) |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT24C04C-PUM | ATMEL | |||||||
AT24C04C-PUM | ||||||||
AT24C04C-PUM | MICRO CHIP | |||||||
BLM18HE152SN1D | MURATA | |||||||
BLM18HE152SN1D | 549 | 6.08 | ||||||
BLM18HE152SN1D | MURATA | |||||||
BLM18HE152SN1D | Murata Electronics North America | |||||||
BLM18HE152SN1D | MUR | 196 701 | 2.92 | |||||
BLM18HE152SN1D | MURATA* | |||||||
BLM18HE152SN1D | MURA | |||||||
DLW21HN900SQ2L | MURATA | 364 | 11.32 | |||||
DLW21HN900SQ2L | MURATA | |||||||
DLW21HN900SQ2L | Murata Electronics North America | |||||||
DLW21HN900SQ2L | MUR | 26 866 | 3.63 | |||||
DLW21HN900SQ2L | ||||||||
NFM18PS105R0J3D | MURATA | 179 | 6.89 | |||||
NFM18PS105R0J3D | MURATA | |||||||
NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America | |||||||
NFM18PS105R0J3D | MUR | 38 158 | 4.01 | |||||
NFM18PS105R0J3D | ||||||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS | 48 | 15.69 | ||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS SEMI | 9 944 | |||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | STMicroelectronics | ||||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA |
|