IC GATE DVR MONO HI/LO 16SOP |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Конфигурация | Half Bridge |
Тип входа | Non-Inverting |
Время задержки | 130ns |
Ток пиковое значение | 3A |
Число конфигураций | 1 |
Число выходов | 2 |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Корпус | 16-SOIC |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | AMPIRE | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | TYCO | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | AMP | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | TYCO | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | TE Connectivity | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | 1 | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | TECONN | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | TE | ||||||
640456-4 | Гнездо папа MTA100 1 ряд 4 контакт. | TE CONNECTIVITY LTD | 6 666 | |||||
ER2E | DC COMPONENTS | |||||||
ER2E | 0.00 | |||||||
ER2E | ||||||||
IXDD604SIA | IXYS | |||||||
IXDD604SIA | Clare | |||||||
IXDD604SIA | ||||||||
S3M-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | |||||||
S3M-E3/57T | ||||||||
S3M-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | 496 | ||||||
S3M-E3/57T | Vishay/General Semiconductor | |||||||
S3M-E3/57T | VISHAY | |||||||
ВП4 -4, 2 А, 350 В | РАДИОДЕТАЛЬ |
|