IRFB4229PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4229PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	46A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4560pF @ 25V
Power - Max	330W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4229PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4229PBF datasheet
292.4 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С	JAMICON
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С	JAM
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С		140.00
ECAP 1000/100V 1842 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С	JB
IRS20955S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS20955S			564.00
IRS20955S		INFINEON
TE-78 220V 80W	Паяльник 220В, 80Вт		394.92