| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
|
19 600
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
DIOTEC
|
8 668
|
2.17
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
37 063
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
5 142
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
YJ
|
81 895
|
1.34
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
HOTTECH
|
2 400
|
1.03
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
|
51 205
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
|
51 205
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C20 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
57 462
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
DRAGON CITY
|
|
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
DCI
|
|
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
DRAGONCITY
|
|
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
|
|
|
|
|
|
|
FH-101C |
|
Держатель предохранителя изолированный 5x20 RM 22,6
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
13 209
|
9.07
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
|
1 160
|
5.91
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-073KL |
|
|
YAGEO
|
280 976
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
|
RC0805JR-073KL |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
