|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
16K1 KC 100K |
|
Резистор подстроечный горизонтальный тип, один оборот, для печатного монтажа.
|
|
4 893
|
17.28
|
|
|
|
16K1 KC 100K |
|
Резистор подстроечный горизонтальный тип, один оборот, для печатного монтажа.
|
|
4 893
|
17.28
|
|
|
|
16K1 KC 100K |
|
Резистор подстроечный горизонтальный тип, один оборот, для печатного монтажа.
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
16K1 KC 100K |
|
Резистор подстроечный горизонтальный тип, один оборот, для печатного монтажа.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
311.10
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
|
|
119.28
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2102S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2102S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
|
|
145.04
|
|
|
|
IR2102S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2102S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
|
|
140.00
|
|
|
|
MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
22
|
194.40
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
2 218
|
71.93
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|