|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
США
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
|
|
1 080.00
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 335
|
1.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
24 502
|
2.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
5 124
|
1.66
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
481 277
|
1.10
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
883 444
|
1.24
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 660
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
752
|
1.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.19
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
DI5M3X15 |
|
Стойка латунная, никелированная M3 15|15
|
|
|
|
|
|
|
DI5M3X15 |
|
Стойка латунная, никелированная M3 15|15
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
DI5M3X15 |
|
Стойка латунная, никелированная M3 15|15
|
VOGT
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
1 188
|
24.64
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
22
|
35.40
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
VBSEMI
|
1
|
6.35
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TECH PUB
|
3 374
|
7.15
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
OLITECH
|
7 803
|
9.45
|
|
|
|
IRLML6402TR |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
YOUTAI
|
73 841
|
3.89
|
|
|
|
TECAP 10/16V A 10 (TAJA106K016RNJ) |
|
|
AVX
|
169
|
8.00
|
|