TECAP 15/20V C 10 LOWESR

Версия для печати

Технические характеристики TECAP 15/20V C 10 LOWESR

Номинальное напряжение	20 В
Емкость	15 мкФ
Серия	593D
Корпус (размер)	6032-28
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	VISHAY
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	EIC
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	RECTIFIER
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A		10.08
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	Vishay/Semiconductors
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	VISHAY/IR
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	VISHAY
11DQ04	Диод Шоттки Vrrm= 40 В, Ifav= 1.1 A	1
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	SANYO
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	RENESAS
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	RENS
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W		409.64
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	HITACHI
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	Renesas Electronics America
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	ТАИЛАНД
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	NO TRADEMARK
BFG541,115		NXP Semiconductors
BFG541,115		NXP
C1206-0,22 МКФ-20+80%
SA58631TK.115		NXP
SA58631TK.115