|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
|
|
26.96
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
74LS00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), ИЛИ-НЕ 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74LS00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), ИЛИ-НЕ 4 х 2
|
|
|
32.24
|
|
|
|
AD826AN |
|
Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
780.30
|
|
|
|
AD826AN |
|
Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2
|
|
|
560.00
|
|
|
|
AD8561ANZ |
|
Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8561ANZ |
|
Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8561ANZ |
|
Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8561ANZ |
|
Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...
|
|
|
|
|
|
|
AD8561ANZ |
|
Компаратор, tз=8нс, Uсдв=2.3мВ, 4мкВ/°С, Iсм=3.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=3..10В, Iп=9мА, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
|
|
|