BC847BLT1


Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)

Купить BC847BLT1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC847BLT1
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BC847BLT1 (ON SEMICONDUCTOR.) 11 400 3-4 недели
Цена по запросу
BC847BLT1 (ARK) 24 1.13 

Версия для печати

Технические характеристики BC847BLT1

КорпусSOT-23-3
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаПоверхностный
Frequency - Transition100MHz
Power - Max225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Transistor TypeNPN
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC8xxxLTx

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC847BLT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC847BLT1 datasheet
93.81Kb
8стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход