Версия для печати
Технические характеристики IRF7306PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	440pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A			34.00
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	Vishay/Semiconductors
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
		10BQ015TRPBF		SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		1N5817 (1A 20V)		Диод Шоттки 20В, 1.0A
		BAT54A-7-F			DIODES	1 974	3.05
		BAT54A-7-F			DI
		BAT54A-7-F			DIODES INC.	2 320
		BAT54A-7-F			Diodes Inc	3 200	15.50
		BAT54A-7-F
		LM293DR			TEXAS INSTRUMENTS
		LM293DR			TEXAS INSTRUMENTS
		LM293DR			TEXAS	996	17.28
		LM293DR			TEXAS INSTRUMEN
		LM293DR				7 000	12.25
		LM293DR			TEXASINSTRUMENTS
		LM293DR			UMW	960	10.33
		LM293DR			YOUTAI	6 615	6.24
		LM293DR			4-7 НЕДЕЛЬ	749
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8	MAXIM
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8			592.00
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8	MAX
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	416

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"