200PFX50VSL,

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ANALOG DEVICES
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ANALOG
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...			543.44
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	Analog Devices Inc
AD812ANZ	2 Операционный усилитель бипл., ОС по току, 145 МГц, 1600 В/мкс, Uсм = 2 мВ, 15 ...	ФИЛИППИНЫ
TECAP 10/35V D 10 (NTC-T106K35TRD) 10МКФ 35В		NTC	1 505	14.00
ГТ308Б			62	18.00
ГТ308Б			62	18.00
ГТ308Б		НАЛЬЧИК	1 267	8.00
ГТ308Б		МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 032	21.88
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 528	30.00
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А		1 098	28.00
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	КРЕМНИЙ	1 814	35.70
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	БРЯНСК	2 300	32.00
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	МИНСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	УЛЬЯНОВСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	ИНТЕГРАЛ