B57164K103J

Версия для печати

Технические характеристики B57164K103J

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-105	Подстроечный резистор 1M	BARONS
3266W-1-105	Подстроечный резистор 1M			72.00
3266W-1-105	Подстроечный резистор 1M	Bourns Inc
3266W-1-105	Подстроечный резистор 1M	КИТАЙ
B57703M0103G040		EPCOS
B57703M0103G040		EPCOS Inc
B57703M0103G040		КИТАЙ
B57703M0103G040
B57703M0103G040		TDK
B57703M0103G040		TDK-EPC	11 470	146.34
B57703M0103G040		TDK EPCOS
BTB16-600BWRG	Симистор 16A 600V 50mA			177.24
BTB16-600BWRG	Симистор 16A 600V 50mA	ST MICROELECTRONICS
BTB16-600BWRG	Симистор 16A 600V 50mA	ST MICROELECTRONICS SEMI
BTB16-600BWRG	Симистор 16A 600V 50mA	STMicroelectronics
BTB16-600BWRG	Симистор 16A 600V 50mA	0.00
ECAP 2.2/400V 0811 105C SE	Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ, 400 В,105 С	YAGEO
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	71.40
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W		6	123.60
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	МЕКСИКА
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INFINEON
IRFZ24N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	1