IRF7805
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRF7805 (INTERNATIONAL RECTIFIER.) |
120 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRF7805
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRF7805 (MOSFET)
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
International Rectifier (IRF)
|
