IRG4BC20S
Транзистор IGBT модуль единичный
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
IRG4BC20S |
|
254.76
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRG4BC20S
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 19A |
Power - Max | 60W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC20SD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com
|
С этим товаром покупают: