IRG4BC30KD-S
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 16A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 28A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC30KD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 220МКФ 100 (13X26)105°C |
|
|
||||||
 |
 |
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 8 | 428.40 | |
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | IXYS |
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | 7 | 468.00 | ||
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | IXYS CORPORATION |
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | 1 |
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
