IRG4IBC30KD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRG4IBC30KD |
 |
270.32
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRG4IBC30KD
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 16A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17A |
| Power - Max | 45W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRG4IBC30KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
International Rectifier
|
