IRLIZ34N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLIZ34N	12	115.20

Версия для печати

Технические характеристики IRLIZ34N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	22A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 25V
Power - Max	37W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLIZ34N (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLIZ34N datasheet
106.95Kb
8стр.