![]() |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 31A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 51A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 25V |
Power - Max | 80W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRLZ44Z (Мощные полевые МОП транзисторы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRLZ44ZL, IRLZ44ZS
Производитель:
|
|
Корзина
|