Версия для печати
Технические характеристики TL431CDBZR

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Ток выходной	100mA
Ток катод	1mA
Количество каналов	1
Допустимые отклонения емкости	±2%
Напряжение выходное	2.495 V ~ 36 V
Reference Type	Shunt, Adjustable, Precision
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS non-compliant
Tolerance	±2%

TL431 (Шунтирующие источники тока) ADJUSTABLE PRECISION SHUNT REGULATORS Также в этом файле: TL431CDBZR Производитель: Texas Instruments //www.ti.com TL431CDBZR datasheet 781.01Kb 40стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-NP0-1000PF 5% 50V		Керамический конденсатор 1000 пФ, 50 В, 5 %	MURATA
		0805-NP0-1000PF 5% 50V		Керамический конденсатор 1000 пФ, 50 В, 5 %			1.80
		0805-NP0-47PF 5% 50V		Керамический конденсатор 47пФ, 50 В, 5%, 0805, NP0	MURATA
		0805-NP0-47PF 5% 50V		Керамический конденсатор 47пФ, 50 В, 5%, 0805, NP0		162	1.20
		DD-12GWB		Линейная шкала 12-сегментов зеленый 5.6мКд	KB
		DD-12GWB		Линейная шкала 12-сегментов зеленый 5.6мКд	KINGBRIGHT
		DD-12GWB		Линейная шкала 12-сегментов зеленый 5.6мКд			103.48
		DD-12GWB		Линейная шкала 12-сегментов зеленый 5.6мКд	KGB
		DD-12GWB		Линейная шкала 12-сегментов зеленый 5.6мКд	КИТАЙ
		IRFZ44		Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	VISHAY
		IRFZ44		Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44		Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А			107.04
		IRFZ44		Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	Vishay/Siliconix
		NE5517DR2			ON SEMICONDUCTOR
		NE5517DR2			ON SEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"