CSD16321Q5C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
CSD16321Q5C	32	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики CSD16321Q5C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3100pF @ 12.5V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TDFN Exposed Pad
Корпус	8-SON-EP (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16321Q5C (MOSFET)

N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™

Производитель:
Texas Instruments

CSD16321Q5C datasheet
282.4 Кб