IXFP4N100Q

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFP4N100Q (IXYS CORPORATION.)	132	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IXFP4N100Q

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1050pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFP4N100Q (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

Производитель:
IXYS

IXFP4N100Q datasheet
76.9 Кб