Версия для печати
Технические характеристики B72220S0271K101

Производитель	EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Количество в упаковке	250 шт.
Вес	3.896 г
Tab Direction	430 В
Tab Length	275 В
Tab Thickness	350 В
Tab Width	710 В
Tap Increment	100 А
Номинальная мощность	1 Вт
Tape Included	630 пФ
Tape Type	±10%
Тип монтажа	PIN
Размер корпуса	ф 20 мм
Рабочая температура	-40...85 °C
Код производителя	S20K275
	Варистор дисковый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	VISHAY
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	INTERNATIONAL RECTIFIER
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	EIC	4 573	12.02
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).			28.68
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	Vishay/Semiconductors
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	КИТАЙ
		B41858C6158M			EPCOS
		B41858C6158M
		B41858C6158M			БРАЗИЛИЯ
		B41858C6687M			EPCOS
		B41858C6687M
		B41858C6687M			БРАЗИЛИЯ
		B41858C9107M			EPCOS
		B41858C9107M
		B41858C9107M			БРАЗИЛИЯ
		MBR20200CTG		Диод Шоттки 200V 20A	ON SEMICONDUCTOR	66	90.00
		MBR20200CTG		Диод Шоттки 200V 20A	ONS
		MBR20200CTG		Диод Шоттки 200V 20A	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20200CTG		Диод Шоттки 200V 20A
		MBR20200CTG		Диод Шоттки 200V 20A
		MBR20200CTG		Диод Шоттки 200V 20A	ON SEMICONDUCTO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"