IRLML0060TRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 2.7A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
B43508A9687M000 |
|
EPCOS Inc |
|
|
||
| IT-1187U (4X4X1.5) |
|
|
||||||
| IT-1187U (4X4X1.5) |
|
|
||||||
| IT-1187U (4X4X1.5) | RUICHI |
|
|
|||||
| STM32F103VCT6 | ST MICROELECTRONICS | 394 | 354.24 | |||||
| STM32F103VCT6 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 93 |
|
|||||
| STM32F103VCT6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F103VCT6 | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|||||
| STM32F103VCT6 |
|
|
||||||
| STM32F103VCT6 | STMICROELECTR |
|
|
|||||
 |
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | 640 | 19.25 | ||
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ИНТЕГРАЛ | 1 000 | 24.00 | |
| ОНЦ-РГ-09-7/18-В12 |
|
|
