|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 81A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 13V |
Power - Max | 63W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRLR8256PbF (MOSFET) 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC1983 | Биполярный транзистор | SAMSUNG | ||||||
2SC1983 | Биполярный транзистор | 53.36 | ||||||
2С218Ж | 28.24 | |||||||
2С218Ж | НЗПП | |||||||
2С218Ж | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП | |||||||
2С218Ж | НОВОСИБИРСК | 1 | 12.00 | |||||
2С218Ж | RUS | |||||||
BZX84-C47 | NXP | |||||||
BZX84-C47 | PHILIPS | |||||||
BZX84-C47 | NXP | 3 218 | ||||||
BZX84-C47 | PHILIPS | |||||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | 4 672 | 26.04 | |||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 189 | |||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | ФИЛИППИНЫ | ||||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | INFINEON | ||||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | 1 | ||||||
IRF7413 | Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W | EVVO | 28 664 | 16.82 | ||||
T73 12VDC (833H) 10A | 25 851 | 39.43 | ||||||
T73 12VDC (833H) 10A | КИТАЙ | |||||||
T73 12VDC (833H) 10A | RUICHI |
|