IRF7862

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7862		86.64
IRF7862 (IR/VISHAY)	8	20.81

Версия для печати

Технические характеристики IRF7862

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 20A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4090pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.