IRL3103S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL3103S		105.44
IRL3103S (IR/VISHAY)	9	157.44

Версия для печати

Технические характеристики IRL3103S

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 34A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	64A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1650pF @ 25V
Power - Max	94W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL3103L (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRL3103S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRL3103S datasheet
125.91Kb
10стр.