| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N3904G |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N3904G |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
|
8.80
|
|
|
|
|
2N3904G |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N3904G |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
|
|
8.00
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
FAIRCHILD
|
151
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
ONS
|
2 338
|
12.71
|
|
|
|
|
2N3906BU |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
|
|
9.20
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N5551G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
EPCOS
|
923
|
84.14
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
|
|
72.28
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
TDK
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
TDK EPCOS
|
1 520
|
70.26
|
|
|
|
|
B32923C3155M |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
26.46
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
|
3 040
|
8.09
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
CJ
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
JSCJ
|
3 152
|
8.87
|
|
Версия для печати
